电阻开关材料（resistive switching materials），由于施加电应力（电压/电流脉冲），而引起的电阻突然和非易失性变化。这个过程，是许多神经形态计算方法的核心，但在空间和时间上的可视化是很棘手的。今日，加州大学圣地亚哥分校，日内瓦大学Javier del Valle团队，在Science上发文，通过时间和空间分辨的光学反射率表征，来监测三种不同钒氧化物（VO2、V3O5 和 V2O3）的电阻转换，包括空间和时间分辨率的金属相的生长动态，细丝filament的形成，是由热点处的成核触发的。将过渡期间的电阻率变化，确定为控制该过程的关键参数。为此，在莫特绝缘体中，易失性电阻转换的时空表征，有助于新兴技术，如光电子学和神经形态计算。场驱动 IMT 的成核动力学（图源：Science）
文献链接： /content/373/6557/907DOI：10.1126/science.abd9088本文译自“Science”。