有机半导体材料中，化学掺杂工艺，可实现π共轭分子晶体和薄膜的高度导电性，甚至金属化。今日，山东大学何涛教授，美国明尼苏达大学C Daniel Frisbie教授在Nature Materials上发文，报道了两种基准有机半导体单晶独特的、特定位置的n型表面掺杂机制，改善了电子传输，并揭示了掺杂诱导形成的空间电荷。表面精准掺杂位于晶体台阶边缘（已知的电子陷阱），有效钝化了陷阱并释放被困的电子。场效应电子迁移率增加了十倍之多，温度相关行为，从热激活转变为带状。扫描开尔文探针显微镜（SKPM）观察到，沿着台阶边缘的掺杂诱导所形成的电子云气氛。图1 N-硅烷蒸气对Cl2-NDI和PDIF-CN2单晶的化学掺杂。
文献链接： /10.1038/s41563-021-01079-z原文链接： /s/CnzaGh4QUIhkIjGOcPPiyw