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前沿动态:大气条件下InP和金刚石衬底直接键合
发布时间: 2021年6月16日
来源: 中国材料研究学会
磷化铟具有高电子传输速度、低接触电阻和大异质结偏移等优势,被作为下一代高频高功率电子器件的新型半导体材料。随着电子设备的小型化和高功率运行需求渐涨,这些高功率密度设备的散热问题成了集成电路行业发展的绊脚石。来自日本国家先进工业科学技术研究所的Takashi Matsumae团队通过将氧等离子体活化的 InP 基板和用NH3/H2O2清洁的金刚石衬底在大气条件下接触,随后将InP/金刚石复合样品在 250°C 下退火,使两种材料通过厚度为 3 nm 的非晶中间层形成了剪切强度为 9.3 MPa 的原子键。