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研究进展:高熵合金中两种尚未报道的位错墙
发布时间: 2021年6月15日
来源: 中国材料研究学会
在多晶材料中经常能够观察到连接不同方向或不同结构的两个晶体的位错墙。它是一个平面位错阵列,包含一组或多组位错。了解位错墙的核心结构对于深入理解变形过程中的微观结构和性能变化是必不可少的。重庆大学等单位的研究人员通过研究Fe42Mn38Co10Cr10高熵合金,发现了两个迄今没有报道过的位错墙,分析了位错墙对应变硬化和塑性的影响。
文献链接: /10.1016/j.scriptamat.2021.113929
原文链接: /i6973278141867508262/