超硅电子（Beyond-silicon）技术，需要超高性能场效应晶体管 field-effect transistor (FET) 。过渡金属二硫属化合物Transition metal dichalcogenides (TMDs) 提供了理想的材料平台，但是器件的性能，例如接触电阻、开/关比和电子迁移率等，往往受制于因转移过程引起的界面残留物。
今日，韩国 成均馆大学（Sungkyunkwan University）Ashok Mondal, Chandan Biswas，Young Hee Lee等，在Nature Nanotechnology上发文，报道了一种理想的无残留转移方法：利用聚碳酸亚丙酯，在厘米尺度上，单层二硫化钼MoS2的残留覆盖率，可忽略不计，仅约为0.08%。融合铋半金属接触与六方氮化硼衬底上的原子级清洁单层二硫化钼场效应晶体管相，还获得了~78Ωµm的超低欧姆接触电阻，接近量子极限，并在15K温度时，获得了~10e11的高开/关比。这种超净制造方法，将成为基于大面积半导体过渡金属二硫属化合物，构建高性能电子器件的理想平台。
Low Ohmic contact resistance and high on/off ratio in transition metal dichalcogenides field-effect transistors via residue-free transfer. 基于无残留转移，在过渡金属二硫属化物场效应晶体管中，实现低欧姆接触电阻和高开/关比。' fill='%23FFFFFF'%3E%3Crect x='249' y='126' width='1' height='1'%3E%3C/rect%3E%3C/g%3E%3C/g%3E%3C/svg%3E)
图1:无残留聚碳酸丙烯酯polypropylene carbonate，PPC转移与传统聚甲基丙烯酸甲酯（有机玻璃）polymethyl methacrylate，PMMA转移。
图2:残留物的电学和光学效应。
图3:在单层二硫化钼MoS2中，超低接触电阻。
图4:在二硫化钼MoS2场效应晶体管 field-effect transistor，FET中，超高开/关比。
图5:超净大面积单层二硫化钼场效应晶体管的基准。
Mondal, A., Biswas, C., Park, S. et al. Low Ohmic contact resistance and high on/off ratio in transition metal dichalcogenides field-effect transistors via residue-free transfer. Nat. Nanotechnol. (2023). https://doi.org/10.1038/s41565-023-01497-xhttps://www.nature.com/articles/s41565-023-01497-x声明：仅代表译者个人观点，小编水平有限，如有不当之处，请在下方留言指正！
